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IGBT電鍍局部鍍鎳2-6um


       IGBT模塊的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門(mén)極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只要控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT模塊在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。


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